CRBN2 – поєднують електростатичні драйвери другого покоління з вуглецевими нанотрубками та ще однією новою проривною технологією.
Випробуйте найпотужніший, тактильний басовий відгук серед усіх електростатичних навушників та яскраву голографічну просторову візуалізацію.
Технологія SLAM
Симетричний лінійний акустичний модулятор - Налаштований для посилення басових частот та зниження спотворень - Підтримує оптимальне розподілення тиску на діафрагмі.
SLAM надає CRBN2 найбільш реалістичний фізичний бас серед усіх електростатичних навушників з природним деталізованим уявленням та захоплюючим стереозображенням.
Драйвер другого покоління
Розширюючи межі електростатичної технології - запатентована плівка драйвера із вбудованими вуглецевими нанотрубками виготовляється на заводі вручну, що дозволяє точно контролювати електростатичну силу через драйвер для досягнення максимально точного звуку.
Розкішна конструкція
CRBN² розроблений з матеріалів найвищої якості: магнію, вуглецевого волокна, високоякісної шкіри, нержавіючої сталі та полімерного ацетату.
Precision Crafted
Кожен CRBN2 збирається та тестується вручну в Каліфорнії фахівцями з електростатики, та доводиться до досконалості за найвищими стандартами.
Висока напруга
Для CRBN2 потрібен підсилювач з електростатичним виходом, що використовує зсув 580 постійного струму, також відомий як «Stax Pro Bias».
Спадщина інновацій
CRBN² заснований на проекті з виробництва навушників для використання в апаратах МРТ, що проводиться Audeze та командою з Медичної школи Каліфорнійського університету в Лос-Анджелесі. Через потужні магнітні поля МРТ навушники не могли використовувати чорні метали, тому дослідники розробили електростатичний драйвер.
Особливості:
- Технологія SLAM забезпечує найпотужніший бас із усіх електростатичних.
- Низькі спотворення покращують просторову візуалізацію та деталізацію
- Електростатичний драйвер із вуглецевих нанотрубок 2-го покоління
- Преміальні матеріали для розкішного довгострокового комфорту
- Сумісний з усіма електростатичними підсилювачами зі зміщенням 580 В.
